双极型晶体管BJT,Vbe(on)=0.6V,是什么意思?那个be是下标

双极型晶体管BJT,Vbe(on)=0.6V,是什么意思?那个be是下标 为什么硅BJT三极管Vbe=0.7而Vbc不是呢,它也是个PN结啊 为什么硅BJT三极管Vbe=0.7而Vbc不是呢,它也是个PN结啊 电路如下图所示,晶体管的=60,晶体管的VBE可忽略不计. 如下图所示的晶体管中,设β=100,VBE=0.7V,求 Vo与 VCE.初学者,还望各位不吝赐教. BJT的Vbe和Ib有什么关系?也就是Vbe是怎么变化的,在三种状态下（饱和,放大,截止）,我看书上说ib随着vbe的增大而增大,不太明白,这样偏置电路不是有问题了么?另外,vbe在什么情况下可以设定它为 BJT什么时候用作数字器件什么时候用作模拟器件BJT工作在放大或饱和截止的外部条件是什么?是Vbe,Vce的电压决定,还是Rb,Rc的电流决定? 已知 VBE(on)= 0.7 V ,VCE(sat) = 0.3 V , = 30 ,试判断三极管工作状态,并计算 VCEQ. 晶体管中Vbe起到的作用?Vbe与集电极电流Ic有什么关系?是不是Vbe减小,Ic也会减小?为什么?谢谢!请问是否Vbe的大小决定了Ib的大小,进而决定Ic的大小?Ib的大小不是由偏置电压Vb决定的吗? MOS管道通电压我这里有个电路,里面用到一款MOS管,当我端加电压加到24V的时候,Vgs竟然到了7V.这款MOS管规格里定义的最大Vgs=16V.正常情况下的Vgs=2.8V.我不明白Vgs不就相当于晶体管的Vbe吗,只要达 晶体管放大电路的图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻（射极偏置）后, 晶体管放大电路图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.但加上射极电阻（射极偏置）后,在 bjt是什么? 为啥FET工作在饱和区,BJT工作在放大区?感觉FET饱和区=BJT放大区 测量某硅BJT各电极对地的电压值,判断管子在什么工作区域：1 VC=6V VB=0.7V VE=0V2 VC=6V VB=2V VE=1.3V3 VC=6V VB=6V VE=5.4V4 VC=6V VB=4V VE=3.6V5 VC=3.6V VB=4V VE=3.4V具体的判断方法是什么,书上说：当VBE>0,Vbc 对于三极管而言,为什么临界饱和状态下Vce=1V,我知道Vcb=0.c,b等电势,而Vbe=0.7V,按照这样说的话,Vce=0.课本没有说明白,对于截止状态Vbe=0.7V这个我明白,我刚开始学模电,感觉有好多东西都是莫名其 BJT放大电路中的BJT是什么 求教关于RC振荡器和LC振荡器的区别请问：RC振荡器中的运放工作在线性区,而LC振荡器中的晶体管则工作在非线性区.这句话是正确还是错误啊.如果把RC振荡器的Opamp 换成两个stage的BJT,是不是BJT