MN为匀强磁场左边界,磁感应强度B=0.5特,现将长ab=30cm,宽bc=20cm的单匝矩形线圈从磁场外,在恒力F作用下以v=10m/s速度匀速拉入磁场区,单匝线圈导线粗细均匀,每厘米长度电阻为0.02欧.求（1）拉进

如图所示,匀强磁场中磁感应强度为B,宽度为d ,一电子从左边界垂直匀强磁场射入 物理有关微观粒子能量计算问题一个有界的匀强磁场,磁感应强度B=0．50T,磁场方向垂直于纸面向里,MN是磁场的左边界．在距磁场左边界MN的1．0m处有一个放射源A,内装放射物质 Ra （镭）,Ra发生 [图]在真空区域内,有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里,MN、PQ是磁场的边界在真空区域内,有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里,MN、PQ是磁场的边 在真空区域内有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里,MN,PQ为磁场的边界,质量为m,-q的粒子,沿MN夹角为θ垂直磁感线射入匀强磁场中,刚好没能从PQ边界射出磁场,这个图应该 如图9所示,直线边界MN上方有垂直纸面向里的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场区域够大,今有质量为m,电荷量为+q的带电粒子,从边界MN上某点垂直磁场方向射入,射入时的速度大小为v,方向与边界MN 匀强磁场的磁感应强度为b,宽度为d,边界为xd和ef,一电子从cd边界外侧以速度v0垂直匀强磁场射入,入射方向与左边界夹角为@（指史塔）,已知电子的质量为m电荷量为e,为史电子能从磁场另一侧ef 在光滑绝缘的水平面上有一个用一根均匀导体围成的正方形线框abcd,其边长为L,总电阻为R,放在磁感应强度为B．方向竖直向下的匀强磁场的左边,图中虚线MN为磁场的左边界.线框在大小为F的恒 MN为匀强磁场左边界,磁感应强度B=0.5特,现将长ab=30cm,宽bc=20cm的单匝矩形线圈从磁场外,在恒力F作用下以v=10m/s速度匀速拉入磁场区,单匝线圈导线粗细均匀,每厘米长度电阻为0.02欧.求（1）拉进 匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0垂直如图所示,匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0垂直匀强磁场射入,入射 【有答案】匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF. 一电子从CD边界外侧以速率v0垂直匀强磁场射入,入射方 在真空区域有宽度为L,磁感应强度为B的 匀强磁场,磁场方向如图,MN、PQ是磁场的边界,质量为m,电荷量为-q第一次粒子是经电压U1加速后射入,粒子刚好没能从PQ边界射出磁场,第二次粒子是经电压U 带电粒子的质量为m,带电荷量为-e,以速度v从磁场左边界的A点射入匀强磁场区域,速度方向和磁场方向垂直,磁感应强度大小为B,磁场区域的宽度为b（R 某同学用粗细均匀的同一种导线制成“9”字形线框,放在有理想边界的匀强磁场旁,磁感应强度为B,如图9甲所示.已知磁场的宽度为 2d,ab=bc=cd=da=ce=ef=d,,导线框从紧靠磁场的左边界以速度v向x轴的 在磁感应强度为B=0.5T的匀强磁场中,有一个正方形金属线圈abcd,边长L=0.2m在磁感应强度B=0.5T的匀强磁场中,有一个正方形金属线圈,有一个正方形金属线圈ABCD,边长L=0.2m,线圈ad边跟磁场左侧边界重 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C 如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C